K4S641632H-RN75

产品概述

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制造商IC编号 K4S641632H-RN75
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 SDRAM
IC代码 4MX16 SD

产品详情

脚位/封装 TSOP2(54)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 3.3 V
温度规格 -25 C~+85 C
速度 133 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 9th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4S641632H-RN75 5,500 索取报价
K4S641632H-RN75 1,000 索取报价
K4S641632H-RN75 831 2004+ 索取报价
K4S641632H-RN75 833 2004+ 索取报价
K4S641632H-RN75 888 2004+ 索取报价
K4S641632H-RN75 4,800 2004 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4S641632F-TE75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S641632FTE75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S641632H-TG75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C