K4S641633F-RN75

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Hersteller-Nummer K4S641633F-RN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 4MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S641633F-RN75000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-54
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.0V/3.3V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 7th Generation
Power Low, i-TCSR

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641633F-RN75 6.500 Anfrage senden
K4S641633F-RN75 9.600 14+ Anfrage senden
K4S641633F-RN75 125 Anfrage senden
K4S641633F-RN75 509 Anfrage senden
K4S641633F-RN75 1.600 200839+ Anfrage senden
K4S641633F-RN75 509 2003 Anfrage senden
K4S641633F-RN75 1.000 Anfrage senden
K4S641633F-RN75 12.000 Anfrage senden
K4S641633F-RN75 113 2003+ Anfrage senden
K4S641633F-RN75 113 03+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M641633K-RN750 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633KBN75-TJR FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633KRN75000 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S641633F-BN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S641633F-FN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S641633H-BN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S641633H-BN75000 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S641633H-BN75000 25 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S641633H-F75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S641633H-R(B)L FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C