K4S641633F-BN75

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Hersteller-Nummer K4S641633F-BN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-54
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.0V/3.3V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 7th Generation
Power Low, i-TCSR

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641633F-BN75 1.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M641632K-BN75 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633H-HN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633H-RE75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BG750 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN750 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75000 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN750JR FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75T FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75T00 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C