K4S641633H-BN75

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Hersteller-Nummer K4S641633H-BN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 4MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S641633H-BN75000
K4S641633HBN750JR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-54
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.0V/3.3V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 9th Generation
Power Low, i-TCSR

Lager

Teilenummer Menge Stückpreis (USD) Datecode Anmerkung
K4S641633H-BN75000 3.107 0646 Auf Lager Anfrage senden
K4S641633H-BN75000 735 0643 Auf Lager Anfrage senden
K4S641633H-BN75000 9 0622 Auf Lager Anfrage senden
K4S641633H-BN75000 125 0613 Auf Lager Anfrage senden

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641633H-BN75000 3.976 06+ Anfrage senden
K4S641633H-BN75000 3.976 Anfrage senden
K4S641633H-BN75 1.280 2006+ Anfrage senden
K4S641633H-BN75 1.000 Anfrage senden
K4S641633H-BN75 4.000 06 Anfrage senden
K4S641633H-BN75 3.976 2006+ Anfrage senden
K4S641633H-BN75 60.000 Anfrage senden
K4S641633H-BN75 500 Anfrage senden
K4S641633H-BN75 60.000 2006+ Anfrage senden
K4S641633HBN750JR 135 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M641632K-BN75 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633H-HN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633H-RE75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BG750 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN750 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75000 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN750JR FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75T FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75T00 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C