K4S643232E-TP60

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4S643232E-TP60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 2MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4S643232E-TP60000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(86)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x32
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S643232E-TP60 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S643232E-TP60 2.548 2007+ Anfrage senden
K4S643232E-TP60 9 8124 Anfrage senden
K4S643232E-TP60 5.000 Anfrage senden
K4S643232E-TP60000 2.880 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY57V653220BLTC-6I TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
HY57V653220BTC-6HYNIX TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
HY57V653220BTC-6IT TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IC42S32200-6TI TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IC42S32200-6TIG TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IC42S32200L6TI TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS42S32200-6TI TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS42S32200-6TLI TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS42S32200A-60TI TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS42S32200A-6TI TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C