K4S643232E-TP60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4S643232E-TP60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 2MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4S643232E-TP60000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(86)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x32
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S643232E-TP60 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S643232E-TP60 2.548 2007+ Anfrage senden
K4S643232E-TP60 9 8124 Anfrage senden
K4S643232E-TP60 5.000 Anfrage senden
K4S643232E-TP60000 2.880 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S643232F-JI60 TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4S643232F-TI6000 TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4S643232F-TI60000 TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4S643232F-TI60T00 TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4S643232F-TP60 TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4S643232F-TP60000 TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4S643232FTI60 TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4S643232H-TI60 TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4S643232H-TI6000 TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4S643232H-TI60000 TSOP2(86) 3.3 V 166 MHZ -40 C~+85 C