K4S643233H-FN75

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Hersteller-Nummer K4S643233H-FN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 2MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4S643233H-FN750
K4S643233H-FN75000
K4S643233HFN750JR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-90
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.0V/3.3V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 2M
Bit Organization x32
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 9th Generation
Power Low, i-TCSR

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S643233H-FN75 1.082 0610 Anfrage senden
K4S643233H-FN75 1.082 Anfrage senden
K4S643233H-FN75 1.082 200610 Anfrage senden
K4S643233H-FN75 1.082 Anfrage senden
K4S643233H-FN75 1.120 200619+ Anfrage senden
K4S643233H-FN75 1.000 Anfrage senden
K4S643233HFN750JR 1.120 2006 Anfrage senden
K4S643233H-FN75 3.000 0610 Anfrage senden
K4S643233HFN750JR 1.120 Anfrage senden
K4S643233H-FN750 4 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S643233F-DE75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S643233F-DN750 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S643233F-SE75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S643233F-SN75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S643233F-SN750 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S643233FDE75000 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S643233FSE75000 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S643233H-FE75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S643233H-HE75 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4S643233H-HN750 FBGA-90 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C