K4T1G083QQ/QE-HCF7
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4T1G083QQ/QE-HCF7 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR2 SDRAM |
| IC-Code | 128MX8 DDR2 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 800 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Normal |
| Generation | 17th Generation |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| IS43DR81280B -25DB | FBGA | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280C -25DB | FBGA | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280D-25DB | FBGA | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280D-25DBL | FBGA | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280D-25DBL-TR | FBGA | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |