K4T1G083QQ/QE-HCF7
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4T1G083QQ/QE-HCF7 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR2 SDRAM |
| IC代碼 | 128MX8 DDR2 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.8 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 800 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Normal |
| Generation | 17th Generation |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| IS43DR81280B -25DB | FBGA | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280C -25DB | FBGA | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280D-25DB | FBGA | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280D-25DBL | FBGA | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280D-25DBL-TR | FBGA | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |