K4T1G08QQ-HCE6
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4T1G08QQ-HCE6 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR2 SDRAM |
| IC-Code | 128MX8 DDR2 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 667 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4T1G08QQ-HCE6 | 5.000 | Anfrage senden | |
| K4T1G08QQ-HCE6 | 5.000 | Anfrage senden | |
| K4T1G08QQ-HCE6 | 5.000 | 10+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| IS43DR81280B-3DB | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280C-3DB | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280D-3DB | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T1G08QF-BCE6000 | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |