K4T1G08QQ-HCE6
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4T1G08QQ-HCE6 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR2 SDRAM |
| IC代碼 | 128MX8 DDR2 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.8 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 667 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| IS43DR81280B-3DB | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280C-3DB | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43DR81280D-3DB | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T1G08QF-BCE6000 | FBGA | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |