K4T1G1646QF-HCE7

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Hersteller-Nummer K4T1G1646QF-HCE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR2

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Low, i-TCSR & PASR & DS

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G1646QF-HCE7 30.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4T1G164QE-HCE8 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCF FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCF7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCF7 IC FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCF7/HCE7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCF7000 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCF7LEADFREE FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCF7T00 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCF7T000 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCLF7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C