K4T1G164QE/QQ-HCE6

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4T1G164QE/QQ-HCE6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G164QE/QQ-HCE6T

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G164QE/QQ-HCE6 10.000 2010 Anfrage senden
K4T1G164QE/QQ-HCE6 10.000 Anfrage senden
K4T1G164QE/QQ-HCE6 0 Anfrage senden
K4T1G164QE/QQ-HCE6T 30.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4T1G164QE-HCE6000 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCE60JR FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCE6: FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCE6T FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCE6T00 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCE6T000 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HCE7/E6 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HELE6 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HIE6 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G164QE-HIE6000 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C