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Hersteller-Nummer | K4T2G084QAHYE6 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR2 SDRAM |
IC-Code | 256MX8 DDR2 |
Gehäuse | FBGA-68 |
Verpackung | |
RoHS | Leaded |
Spannungsversorgung | 1.8 V |
Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 667 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x8 |
Density | 2G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 2nd Generation |
Power | Low VDD(1.35V) |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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K4T2G084QAHYE6 | 4.000 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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K4T2G084QA-HCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T2G084QA-HLE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T2G084QA-JCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T2G084QA-ZCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T2G084QM-ZCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |