K4T2G084QAHYE6
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4T2G084QAHYE6 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR2 SDRAM |
| IC-Code | 256MX8 DDR2 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-68 |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 667 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 2nd Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4T2G084QAHYE6 | 4.000 | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4T2G084QA-HCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T2G084QA-HLE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T2G084QA-JCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T2G084QA-ZCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T2G084QM-ZCE6 | FBGA-68 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |