K4T51083QJ-BCE7

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4T51083QJ-BCE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 64MX8 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T51083QJ-BCE700
K4T51083QJ-BCE7000
K4T51083QJ-BCE70JP
K4T51083QJ-BCE7T00
K4T51083QJ-BCE7TCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-60
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 11th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51083QJ-BCE7 4.000 Anfrage senden
K4T51083QJ-BCE7 30.000 Anfrage senden
K4T51083QJ-BCE7 1.008 Anfrage senden
K4T51083QJ-BCE7 0 Anfrage senden
K4T51083QJ-BCE7 1.008 1231 Anfrage senden
K4T51083QJ-BCE7 1.000 Anfrage senden
K4T51083QJ-BCE7 1.008 14+ Anfrage senden
K4T51083QJ-BCE7000 1.859 Anfrage senden
K4T51083QJ-BCE7 100 Anfrage senden
K4T51083QJ-BCE7 18 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HYB18T512-800-A5 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512800AC-5 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512800AF-5 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512800B2F-2.5 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512800B2F-2.5S FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512800B2F-25F FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512800B2F-5 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512800BF-5 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512800BF2.5 FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512800BF25F FBGA-60 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C