K4T51083QJ-BCE7

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号	K4T51083QJ-BCE7
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	DDR2 SDRAM
IC代码	64MX8 DDR2
共通IC编号	K4T51083QJ-BCE700
	K4T51083QJ-BCE7000
	K4T51083QJ-BCE70JP
	K4T51083QJ-BCE7T00
	K4T51083QJ-BCE7TCV

产品详情

脚位/封装	FBGA-60
外包装
无铅/环保	无铅/环保
电压(伏)	1.8 V
温度规格	0 C~+85 C
速度	800 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words	64M
Bit Organization	x8
Density	512M
Internal Banks	4 Banks
Generation	11th Generation
Power	Normal Power

供应链有货

IC 编号	数量	生产年份
K4T51083QJ-BCE7	4,000		索取报价
K4T51083QJ-BCE7	30,000		索取报价
K4T51083QJ-BCE7	1,008		索取报价
K4T51083QJ-BCE7	0		索取报价
K4T51083QJ-BCE7	1,008	1231	索取报价
K4T51083QJ-BCE7	1,000		索取报价
K4T51083QJ-BCE7	1,008	14+	索取报价
K4T51083QJ-BCE7000	1,859		索取报价
K4T51083QJ-BCE7	100		索取报价
K4T51083QJ-BCE7	18		索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号	脚位/封装	电压(伏)	速度	温度规格
HYB18T512-800-A5	FBGA-60	1.8 V	800 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800AC-5	FBGA-60	1.8 V	800 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800AF-5	FBGA-60	1.8 V	800 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800B2F-2.5	FBGA-60	1.8 V	800 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800B2F-2.5S	FBGA-60	1.8 V	800 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800B2F-25F	FBGA-60	1.8 V	800 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800B2F-5	FBGA-60	1.8 V	800 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800BF-5	FBGA-60	1.8 V	800 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800BF2.5	FBGA-60	1.8 V	800 MBPS	0 C~+85 C
HYB18T512800BF25F	FBGA-60	1.8 V	800 MBPS	0 C~+85 C