K4T51163QI-HCE7

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T51163QI-HCE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T51163QI-HCE700
K4T51163QI-HCE7000
K4T51163QI-HCE7T
K4T51163QI-HCE7T00
K4T51163QIHCE70

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 10th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51163QI-HCE7 336 1037+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 386 Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 2.363 1137+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 1.849 1037+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 963 12+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 904 1028+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 670 1043+ Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 3.652 Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7T 1.405 Anfrage senden
K4T51163QI-HCE7 895 2014+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
PME809416BBR-E7DN FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
PME809416CBR-E7DN FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
PME809416DBR-E7DN FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
W9751G6IB-25 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
W9751G6JB-25 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
W9751G6JB-25 DDR2 512M FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
W9751G6JB-25 T R FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
W9751G6JB-25: FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
W9751G6JB-25DDR232X16 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C
W9751G6JB25A FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+85 C