K4T51163QJ-BCE6TCV DC:1 YR

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T51163QJ-BCE6TCV DC:1 YR
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 11th Generation
Power Normal Power

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5PS121621CFP-Y5-C/A FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621CFP-Y5-T FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621CFP-Y5DR-C FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621CFPY5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621CLFP-Y4 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621CLFPY5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621EFP-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621EFP-Y5-A FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621FP-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621FY5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C