K4T51163QN-BCE7

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Hersteller-Nummer K4T51163QN-BCE7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T51163QN-BCE70
K4T51163QN-BCE7000
K4T51163QN-BCE70CV
K4T51163QN-BCE7T
K4T51163QN-BCE7T00
K4T51163QN-BCE7TCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+95 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 14th Generation
Power Normal Power

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Teilenummer Menge Stückpreis (USD) Datecode Anmerkung
K4T51163QN-BCE7000 685 2237 Auf Lager Anfrage senden
K4T51163QN-BCE7000 1.226 2201 Auf Lager Anfrage senden

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51163QN-BCE7000 3.840 2146 Anfrage senden
K4T51163QN-BCE7000 3.840 2年内 Anfrage senden
K4T51163QN-BCE7000 100,000+ 2137+ Anfrage senden
K4T51163QN-BCE7T00 4.000 19+ Anfrage senden
K4T51163QN-BCE7000 59.603 Anfrage senden
K4T51163QN-BCE70CV 100,000+ Anfrage senden
K4T51163QN-BCE7000 100,000+ Anfrage senden
K4T51163QN-BCE7 10.240 21+ Anfrage senden
K4T51163QN-BCE7 1 Anfrage senden
K4T51163QN-BCE70CV 7.680 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4T51163QQ-BPE70CV FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C32M16D2-25BCN FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
AS4C32M16D2-25BCNTR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
AS4C32M16D2A-25BCN FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
AS4C32M16D2A-25BCNTR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AHBG-8E-E FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AHSE-8E- FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AHSE-8E-E FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AJBG-8E FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AJBG-8E-E FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AJBG-8E-E NBSP FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C