K4T51163QQ-BCF7

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T51163QQ-BCF7
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T51163QQ-BCF70
K4T51163QQ-BCF7000
K4T51163QQ-BCF70000
K4T51163QQ-BCF7T00

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+95 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 17th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51163QQ-BCF7 1.280 DC1646+ Anfrage senden
K4T51163QQ-BCF7 10.240 Anfrage senden
K4T51163QQ-BCF7 5.120 Anfrage senden
K4T51163QQ-BCF7 1.120 Anfrage senden
K4T51163QQ-BCF7000 17.920 Anfrage senden
K4T51163QQ-BCF7 1.280 DC16+ Anfrage senden
K4T51163QQ-BCF7 30.000 Anfrage senden
K4T51163QQ-BCF7000 17.920 15+ Anfrage senden
K4T51163QQ-BCF7 20.000 Anfrage senden
K4T51163QQ-BCF7000 50.000 16+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4T51163QQ-BPE70CV FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C32M16D2-25BCN FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
AS4C32M16D2-25BCNTR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
AS4C32M16D2A-25BCN FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
AS4C32M16D2A-25BCNTR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AHBG-8E-E FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AHSE-8E- FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AHSE-8E-E FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AJBG-8E FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AJBG-8E-E FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C
EDE5116AJBG-8E-E NBSP FBGA-84 1.8 V 800 MBPS 0 C~+95 C