K4U6E3S4AB-MGCL
Produktübersicht
Bilder dienen nur der Illustration
| Hersteller-Nummer | K4U6E3S4AB-MGCL |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | LPDDR4X SDRAM |
| IC-Code | 512MX32 LPDDR4 |
| Andere Bezeichnungen | K4U6E3S4AB-MGCL000 |
| K4U6E3S4AB-MGCLT | |
| K4U6E3S4AB-MGCLT00 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-200 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.1 V |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 4266 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4U6E3S4AB-MGCL | 0 | Anfrage senden | |
| K4U6E3S4AB-MGCL | 20.480 | Anfrage senden | |
| K4U6E3S4AB-MGCL | 11.200 | Anfrage senden | |
| K4U6E3S4AB-MGCL | 2.560 | 22+ | Anfrage senden |
| K4U6E3S4AB-MGCL000 | 10.000 | 23+ | Anfrage senden |
| K4U6E3S4AB-MGCL | 20.480 | 23+ | Anfrage senden |
| K4U6E3S4AB-MGCL | 10.240 | Anfrage senden | |
| K4U6E3S4AB-MGCL | 10.000 | Anfrage senden | |
| K4U6E3S4AB-MGCL | 12.000 | Anfrage senden | |
| K4U6E3S4AB-MGCL | 12.800 | 23+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4U6E3S4AM-MHCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AM-TFCL03V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UHE3D4AB-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UHE3D4AB-MGCL0 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UHE3D4AB-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UHE3D4AB-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D1ZW-046WT | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D1ZW-046WT:BT | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C(WIR |