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Hersteller-Nummer | K4UHE3D4AB-MGCL |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | LPDDR4X SDRAM |
IC-Code | 512MX32 LPDDR4 |
Andere Bezeichnungen | K4UHE3D4AB-MGCL0 |
K4UHE3D4AB-MGCL000 | |
K4UHE3D4AB-MGCLT00 |
Gehäuse | FBGA-200 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.1 V |
Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 4266 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4UHE3D4AB-MGCL | 4.580 | Anfrage senden | |
K4UHE3D4AB-MGCL | 5.565 | Anfrage senden | |
K4UHE3D4AB-MGCL | 40.000 | 22 | Anfrage senden |
K4UHE3D4AB-MGCL | 5.530 | Anfrage senden | |
K4UHE3D4AB-MGCL | 7.459 | Anfrage senden | |
K4UHE3D4AB-MGCL | 0 | Anfrage senden | |
K4UHE3D4AB-MGCLT00 | 3.846 | Anfrage senden | |
K4UHE3D4AB-MGCL | 100,000+ | 2021+ | Anfrage senden |
K4UHE3D4AB-MGCL | 7.523 | Anfrage senden | |
K4UHE3D4AB-MGCL | 36.000 | 20+ | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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K4F6E3S4HB-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HB-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HB-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-AGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJ0CL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-SGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U6E3S4AA-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U6E3S4AA-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U6E3S4AA-MGCL ARE AVL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U6E3S4AA-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |