K4U6E3S4AM-GHCL
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4U6E3S4AM-GHCL |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | LPDDR4X SDRAM |
| IC-Code | 512MX32 LPDDR4 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-200 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.1 V |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 4266 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton |
Cross Reference
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT53D512M32D2DS-046 AAT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4U6E3S4AM-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AM-MHCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AM-TFCL03V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UHE3D4AB-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UHE3D4AB-MGCL0 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UHE3D4AB-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4UHE3D4AB-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D1ZW-046WT | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D1ZW-046WT:BT | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C(WIR |