K9F1208UOC-DIBO

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K9F1208UOC-DIBO
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 64MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.7V~3.6V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 42 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Pre Prog Version Serial
Generation 4th Generation
Classification SLC Normal
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F1208UOC-DIBO 3.654 2007+ Anfrage senden
K9F1208UOC-DIBO 2.235 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F1208DOB-DIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208DOCDIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0ADIB TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0ADIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0B-DIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0B-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0C-DIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208UOB-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208B0C-DIB0 TBGA-63 3.3 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208U0C-DIB0 TBGA-63 2.7V-3.6V 42 NS -40 C~+85 C