K9K1208U0C-DIB0

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K9K1208U0C-DIB0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 64MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen K9K1208U0C-DIB0000
K9K1208U0C-DIB0T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.7V-3.6V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 42 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Pre Prog Version None
Generation 4th Generation
Mode Normal
Classification SLC DDP
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9K1208U0C-DIB0 222 0522+ Anfrage senden
K9K1208U0C-DIB0000 12.176 Anfrage senden
K9K1208U0C-DIB0 6.500 Anfrage senden
K9K1208U0C-DIB0 219 0522+ Anfrage senden
K9K1208U0C-DIB0000 12.176 2006+ Anfrage senden
K9K1208U0C-DIB0 14.545 05+ Anfrage senden
K9K1208U0C-DIB0000 14.545 2005+ Anfrage senden
K9K1208U0C-DIB0 14.545 Anfrage senden
K9K1208U0C-DIB0 2.589 Anfrage senden
K9K1208U0C-DIB0 20.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F1208DOB-DIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208DOCDIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0ADIB TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0ADIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0B-DIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0B-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0C-DIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208UOB-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208UOC-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208B0C-DIB0 TBGA-63 3.3 V 42 NS -40 C~+85 C