K9F2G08R0A-JIB

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K9F2G08R0A-JIB
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 256MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen K9F2G08R0A-JIB0
K9F2G08R0A-JIB0000
K9F2G08R0AJIB00
K9F2G08R0AJIB0T

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl 960
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F2G08R0A-JIB0 485 Anfrage senden
K9F2G08R0A-JIB0 4.000 Anfrage senden
K9F2G08R0A-JIB0 2.240 09+08+ Anfrage senden
K9F2G08R0A-JIB0 42 DC07 Anfrage senden
K9F2G08R0A-JIB0 42 7 Anfrage senden
K9F2G08R0A-JIB0 0 Anfrage senden
K9F2G08R0A-JIB0 12.500 Anfrage senden
K9F2G08R0A-JIB0 42 DC0740 Anfrage senden
K9F2G08R0A-JIB0 3.114 2009+ Anfrage senden
K9F2G08R0A-JIB0 92 DC0740 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F2G08ABBFAH4-ITF VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F2G08ABBGAH4-IT:GTR VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
MT29F2G08ABBGAH4-ITES:G VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58BYG1S3HBAI4 BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58BYG1S3HBAI4 TRAY BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NYG1S3EBAI4YCJ BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NYG1S3HBAI4 BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NYG1S3HBAI4 TRAY BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C