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Hersteller-Nummer | TC58NYG1S3HBAI4 |
Hersteller | KIOXIA |
Produktkategorie | FLASH-NAND |
IC-Code | 256MX8 NAND SLC |
Andere Bezeichnungen | TC58NYG1S3HBAI4 TRAY |
Gehäuse | BGA-63 |
Verpackung | TRAY |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.8 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 25 NS |
Standard Stückzahl | 210 |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 32M |
Bit Organization | x8 |
Density | 256M |
Mono Stack | Single Chip |
Nand Type | NAND |
Cell Level | 2 Level( 1 bits/cell ) |
Page Size | 2KB |
Design Rule | 24nm B-type |
Package Size | TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11 |
Package Material | Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes |
Channel | Single, # of CE 1 |
Block Size | 128KB |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
TC58NYG1S3HBAI4 | 2.520 | Anfrage senden | |
TC58NYG1S3HBAI4 | 1.050 | Anfrage senden | |
TC58NYG1S3HBAI4 | 2.100 | Anfrage senden | |
TC58NYG1S3HBAI4 | 21.000 | Anfrage senden | |
TC58NYG1S3HBAI4 | 100,000+ | Anfrage senden | |
TC58NYG1S3HBAI4 | 100,000+ | Anfrage senden | |
TC58NYG1S3HBAI4 | 6.000 | 13+ | Anfrage senden |
TC58NYG1S3HBAI4 TRAY | 170 | Anfrage senden | |
TC58NYG1S3HBAI4 TRAY | 20 | Anfrage senden | |
TC58NYG1S3HBAI4 | 10 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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H27S2G8F2CFR-BI | FBGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
IS35MW02G084-BLA1 | VFBGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9F2G08R0A-JIB | FBGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9F2G08R0A-JIB0 | FBGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9F2G08R0A-JIB0000 | FBGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9F2G08R0A-JIBO | FBGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9F2G08R0AJIB00 | FBGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9F2G08R0AJIB0T | FBGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9F2G08R0B-JIB0 | FBGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
K9F2G08ROA-JIB0 | FBGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |