K9HBG08U1MPIB0
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K9HBG08U1MPIB0 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | FLASH-NAND |
| IC-Code | 4GX8 NAND MLC |
| Andere Bezeichnungen | K9HBG08U1M-PIB0T00 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | TSOP |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 2.7V-3.6V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 4G |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 32G |
| Pre Prog Version | None |
| Generation | 1st Generation |
| Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
| Classification | MLC QDP |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K9HBG08U1MPIB0 | 4.000 | Anfrage senden | |
| K9HBG08U1MPIB0 | 2.000 | 2012+ | Anfrage senden |
| K9HBG08U1MPIB0 | 184 | 8 | Anfrage senden |
| K9HBG08U1MPIB0 | 8.000 | Anfrage senden | |
| K9HBG08U1MPIB0 | 4.000 | Anfrage senden | |
| K9HBG08U1MPIB0 | 1.064 | 2009+ | Anfrage senden |
| K9HBG08U1MPIB0 | 1.064 | 09+ | Anfrage senden |