K9K1208UOC-DIBO

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K9K1208UOC-DIBO
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 64MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.7V-3.6V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 42 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Pre Prog Version Serial
Generation 4th Generation
Classification SLC DDP
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9K1208UOC-DIBO 6.300 Anfrage senden
K9K1208UOC-DIBO 12.500 Anfrage senden
K9K1208UOC-DIBO 366 Anfrage senden
K9K1208UOC-DIBO 561 2005+ Anfrage senden
K9K1208UOC-DIBO 569 2005+ Anfrage senden
K9K1208UOC-DIBO 58 2005+ Anfrage senden
K9K1208UOC-DIBO 4.000 Anfrage senden
K9K1208UOC-DIBO 20.000 2005+ Anfrage senden
K9K1208UOC-DIBO 20.000 04+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F1208DOB-DIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208DOCDIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0ADIB TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0ADIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0B-DIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0B-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208U0C-DIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208UOB-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208UOC-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208B0C-DIB0 TBGA-63 3.3 V 42 NS -40 C~+85 C