K9W4G08U1M-ECB0
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K9W4G08U1M-ECB0 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | FLASH-NAND |
| IC-Code | 512MX8 NAND SLC |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 2.7V-3.6V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 25 NS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Pre Prog Version | None |
| Generation | 1st Generation |
| Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
| Classification | SLC 4 Die Stack |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K9W4G08U1M-ECB0 | 2.000 | 2010+ | Anfrage senden |