K9W4G08U1M-ECB0
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K9W4G08U1M-ECB0 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 512MX8 NAND SLC |
产品详情
| 脚位/封装 | |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | 2.7V-3.6V |
| 温度规格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 25 NS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Pre Prog Version | None |
| Generation | 1st Generation |
| Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
| Classification | SLC 4 Die Stack |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K9W4G08U1M-ECB0 | 2,000 | 2010+ | 索取报价 |