KM416C4104BS-5

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Hersteller-Nummer KM416C4104BS-5
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
KM416C4104BS-5 4.430 2004+ Anfrage senden
KM416C4104BS-5 3.580 2005+ Anfrage senden
KM416C4104BS-5 5.000 2008+ Anfrage senden
KM416C4104BS-5 8.358 05+ Anfrage senden
KM416C4104BS-5 5.000 Anfrage senden
KM416C4104BS-5 8.358 2005+ Anfrage senden
KM416C4104BS-5 6.000 04+ Anfrage senden
KM416C4104BS-5 5.000 2005+ Anfrage senden
KM416C4104BS-5 2.000 Anfrage senden
KM416C4104BS-5 1.000 1999+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416124ETC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C