KM416V4104CSI-6

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	KM416V4104CSI-6
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	-40 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
KM416V4104CSI-6	184	DC99	Anfrage senden
KM416V4104CSI-6	280	00+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
IS41LV164000-60TI	TSOP2(50)	3.3 V	60 NS	-40 C~+85 C