TC58NVG0S3EBAI4

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Hersteller-Nummer TC58NVG0S3EBAI4
Hersteller KIOXIA
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 128MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen TC58NVG0S3EBAI4 TRAY
TC58NVG0S3EBAI4TR

Produktbeschreibung

Gehäuse BGA-63
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl 1050
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x8
Density 128M
Mono Stack Single Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 43 nm
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 128KB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
TC58NVG0S3EBAI4 20.160 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 20.000 DC2013+ Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 1.000 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 0 Anfrage senden
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TC58NVG0S3EBAI4 40.000 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 29.949 Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 6.000 2012+ Anfrage senden
TC58NVG0S3EBAI4 7.600 2013 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
S34ML01G100BHI003 BGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EN27LN1G08-25CEIP BGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
F59L1G81MA -25BIG2Y BGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
H27U1G8F2BFR-BI FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
H27U1G8F2BFR-BIR FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
H27U1G8F2CFR-BI FBGA-63 2.7V-3.6V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML01G081-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML01G081-BLI-TR VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML01G084-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34ML08G168-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
IS34MLI01G084-BLI VFBGA-63 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C