TC58NYG0S3EBAI4JRH

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer TC58NYG0S3EBAI4JRH
Hersteller KIOXIA
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 128MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse BGA-63
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x8
Density 128M
Mono Stack Single Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 43 nm
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Additional Code JRH
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 128KB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
TC58NYG0S3EBAI4JRH 5.475 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4JRH 41.891 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4JRH 5.700 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4JRH 6.096 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4JRH 5.688 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4JRH 5.485 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4JRH 230 Anfrage senden
TC58NYG0S3EBAI4JRH 24.300 2012+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H27S1G8F2BFR-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2BFR-BI NBSP FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2BFR-BIR FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2CFE-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2CFR-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
IS35MW01G084-BLA1 VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A-/B-JIB FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A-JIB0000 FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A/B-JIB0 FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A/B-JIBO FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C