TC58NYG0S3EBAI4JRH

产品概述

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制造商IC编号 TC58NYG0S3EBAI4JRH
厂牌 KIOXIA/鎧俠
IC 类别 FLASH-NAND
IC代码 128MX8 NAND SLC

产品详情

脚位/封装 BGA-63
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 25 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 16M
Bit Organization x8
Density 128M
Mono Stack Single Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 43 nm
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Additional Code JRH
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 128KB

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
TC58NYG0S3EBAI4JRH 5,475 索取报价
TC58NYG0S3EBAI4JRH 41,891 索取报价
TC58NYG0S3EBAI4JRH 5,700 索取报价
TC58NYG0S3EBAI4JRH 6,096 索取报价
TC58NYG0S3EBAI4JRH 5,688 索取报价
TC58NYG0S3EBAI4JRH 5,485 索取报价
TC58NYG0S3EBAI4JRH 230 索取报价
TC58NYG0S3EBAI4JRH 24,300 2012+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H27S1G8F2BFR-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2BFR-BI NBSP FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2BFR-BIR FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2CFE-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
H27S1G8F2CFR-BI FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
IS35MW01G084-BLA1 VFBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A-/B-JIB FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A-JIB0000 FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A/B-JIB0 FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
K9F1G08R0A/B-JIBO FBGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C