TC58NYG3S0FBAIDLDH
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | TC58NYG3S0FBAIDLDH |
| Hersteller | KIOXIA |
| Produktkategorie | FLASH-NAND |
| IC-Code | 1GX8 NAND SLC |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | BGA-63 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 25 NS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 1G |
| Mono Stack | Single Chip |
| Nand Type | NAND |
| Cell Level | 2 Level( 1 bits/cell ) |
| Page Size | 4KB |
| Design Rule | 32nm |
| Package Size | TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 132 lands( Toggle ) 12x18x1.04 |
| Additional Code | LDH |
| Package Material | Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes |
| Channel | Single, # of CE 1 |
| Block Size | 256KB |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| TC58NYG3S0FBAIDLDH | 8.149 | DC14+ | Anfrage senden |
| TC58NYG3S0FBAIDLDH | 8.149 | 14+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MX60UF8G28AD-XKI | VFBGA-63 | 1.70 V~1.95 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TH58BYG3S0HBAI4 | BGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TH58BYG3S0HBAI4 TRAY | BGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TH58NYG3S0HBAI4 | BGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TH58NYG3S0HBAI4 TRAY | BGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TH58NYG3S0HBAI4JDH | BGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |