TH58NYG3S0HBAI4

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Hersteller-Nummer TH58NYG3S0HBAI4
Hersteller KIOXIA
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 1GX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen TH58NYG3S0HBAI4 TRAY

Produktbeschreibung

Gehäuse BGA-63
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Mono Stack Multi Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 4KB
Design Rule 24nm B-type
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 256KB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
TH58NYG3S0HBAI4 0 25+ Anfrage senden
TH58NYG3S0HBAI4 10.000 25+ Anfrage senden
TH58NYG3S0HBAI4 0 25 Anfrage senden
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FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MX60UF8G28AD-XKI VFBGA-63 1.70 V~1.95 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NYG3S0FBAIDLDH BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TH58BYG3S0HBAI4 BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TH58BYG3S0HBAI4 TRAY BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TH58NYG3S0HBAI4JDH BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C