H5AN4G6NBJR-VKK
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | H5AN4G6NBJR-VKK |
| 厂牌 | SK HYNIX/海力士 |
| IC 类别 | DDR4 SDRAM |
| IC代码 | 256MX16 DDR4 |
| 共通IC编号 | H5AN4G6NBJR-VKKR |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.2V |
| 温度规格 | -40 C~+105 C |
| 速度 | 2666 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 4G |
| Operating Temperature | Extended Temp(-40°C ~ 105°C) & Normal Power |
| Package Material | lead & halogen free(ROHS compliant) |
| Hynix Memory | H |
| Die Generation | 3rd |
| No Of Banks | Non-TSV |
| Product Family | DRAM |
| Shipping Method | tray |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| MT40A256M16GE-075E AAT:B | FBGA-96 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT40A256M16GE-075E AAT:B TR | FBGA-96 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+105 C |