H5AN4G6NBJR-VKK
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | H5AN4G6NBJR-VKK |
| 廠牌 | SK HYNIX/海力士 |
| IC 類別 | DDR4 SDRAM |
| IC代碼 | 256MX16 DDR4 |
| 共通IC編號 | H5AN4G6NBJR-VKKR |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.2V |
| 溫度規格 | -40 C~+105 C |
| 速度 | 2666 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 4G |
| Operating Temperature | Extended Temp(-40°C ~ 105°C) & Normal Power |
| Package Material | lead & halogen free(ROHS compliant) |
| Hynix Memory | H |
| Die Generation | 3rd |
| No Of Banks | Non-TSV |
| Product Family | DRAM |
| Shipping Method | tray |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| MT40A256M16GE-075E AAT:B | FBGA-96 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT40A256M16GE-075E AAT:B TR | FBGA-96 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+105 C |