H5TQ2G83GFR-RDJ

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 H5TQ2G83GFR-RDJ
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 LPDDR3 SDRAM
IC代码 256MX8 DDR3

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 -40 C~+95 C
速度 1866 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Operating Temperature Industrial Temp2) & Low Power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 8th
No Of Banks 8 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
H5TQ2G83GFR-RDJ 167 1810+ 索取报价
H5TQ2G83GFR-RDJ 81 索取报价
H5TQ2G83GFR-RDJ 100 索取报价
H5TQ2G83GFR-RDJ 105 索取报价
H5TQ2G83GFR-RDJ 20,000 索取报价
H5TQ2G83GFR-RDJ 30,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5TQ2G83FFR-RDI FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TQ2G83GFR-RDI FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TQ2G83GFR-RDIR FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR82560B-107MBLI-TR FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR82560C-107MBLI-TR FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
NT5CB256M8IN-EK (2G DDRIII) FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C