H5TQ2G83GFR-RDJ

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 H5TQ2G83GFR-RDJ
廠牌 SK HYNIX/海力士
IC 類別 LPDDR3 SDRAM
IC代碼 256MX8 DDR3

產品詳情

脚位/封装 FBGA-78
外包裝 TRAY
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.5 V
溫度規格 -40 C~+95 C
速度 1866 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Operating Temperature Industrial Temp2) & Low Power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 8th
No Of Banks 8 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
H5TQ2G83GFR-RDJ 167 1810+ 索取報價
H5TQ2G83GFR-RDJ 81 索取報價
H5TQ2G83GFR-RDJ 100 索取報價
H5TQ2G83GFR-RDJ 105 索取報價
H5TQ2G83GFR-RDJ 20,000 索取報價
H5TQ2G83GFR-RDJ 30,000 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
H5TQ2G83FFR-RDI FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TQ2G83GFR-RDI FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TQ2G83GFR-RDIR FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR82560B-107MBLI-TR FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR82560C-107MBLI-TR FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
NT5CB256M8IN-EK (2G DDRIII) FBGA-78 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C