H5TQ4G83CFR-TEI

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 H5TQ4G83CFR-TEI
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 DDR3L SDRAM
IC代码 512MX8 DDR3

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 -40 C~+95 C
速度 2133 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Operating Temperature industrial temperature(-40°C~85°C) & normal power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 4th
No Of Banks 8 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
H5TQ4G83CFR-TEI 3,000 索取报价
H5TQ4G83CFR-TEI 4,707 索取报价
H5TQ4G83CFR-TEI 20,160 索取报价
H5TQ4G83CFR-TEI 151 索取报价
H5TQ4G83CFR-TEI 1,600 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5TQ4G83EFR-TEI FBGA-78 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR85120A-093NBA1 BGA-78 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR85120A-093NBLI-TR BGA-78 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C
NT5CB512M8DN-FL TR TFBGA-78 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C