脚位/封装 | BGA |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 含铅 |
电压(伏) | 3.3 V |
温度规格 | 0 C~+70 C |
速度 | 133 MHZ |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 4M |
Bit Organization | x32 |
Density | 128M |
Package Material | Lead free |
Hynix Memory | HY |
Die Generation | 6th Gen. |
Power Consumption | normal |
Shipping Method | tray |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
HY5V22EMP-H | 2,251 | 2006+ | 索取报价 |
HY5V22EMP-H | 30,000 | 2006+ | 索取报价 |
HY5V22EMP-H | 29,990 | 06+ | 索取报价 |
HY5V22EMP-H | 30,000 | 06+ | 索取报价 |
HY5V22EMP-H | 2,356 | 2006+ | 索取报价 |
HY5V22EMP-H | 30,000 | 07+ | 索取报价 |
HY5V22EMP-H SDRAM 4MX32 | 32,000 | 03+ | 索取报价 |
HY5V22EMP-H | 3,500 | 0611 | 索取报价 |
HY5V22EMP-H | 1,000 | 200611 | 索取报价 |
HY5V22EMP-H | 30,000 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
W9812G2DB-75 | BGA | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
W9812G2DB-75 PB FREE | BGA | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |