HY5V22EMP-H

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 HY5V22EMP-H
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 SDRAM
IC代码 4MX32 SD
共通IC编号 HY5V22EMP-H SDRAM 4MX32

产品详情

脚位/封装 BGA
外包装 TRAY
无铅/环保 含铅
电压(伏) 3.3 V
温度规格 0 C~+70 C
速度 133 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x32
Density 128M
Package Material Lead free
Hynix Memory HY
Die Generation 6th Gen.
Power Consumption normal
Shipping Method tray

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
HY5V22EMP-H 2,251 2006+ 索取报价
HY5V22EMP-H 30,000 2006+ 索取报价
HY5V22EMP-H 29,990 06+ 索取报价
HY5V22EMP-H 30,000 06+ 索取报价
HY5V22EMP-H 2,356 2006+ 索取报价
HY5V22EMP-H 30,000 07+ 索取报价
HY5V22EMP-H SDRAM 4MX32 32,000 03+ 索取报价
HY5V22EMP-H 3,500 0611 索取报价
HY5V22EMP-H 1,000 200611 索取报价
HY5V22EMP-H 30,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
W9812G2DB-75 BGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
W9812G2DB-75 PB FREE BGA 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C