| 脚位/封装 | BGA |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 含鉛 |
| 電壓(伏) | 3.3 V |
| 溫度規格 | 0 C~+70 C |
| 速度 | 133 MHZ |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 4M |
| Bit Organization | x32 |
| Density | 128M |
| Package Material | Lead free |
| Hynix Memory | HY |
| Die Generation | 6th Gen. |
| Power Consumption | normal |
| Shipping Method | tray |
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| HY5V22EMP-H | 2,251 | 2006+ | 索取報價 |
| HY5V22EMP-H | 30,000 | 2006+ | 索取報價 |
| HY5V22EMP-H | 29,990 | 06+ | 索取報價 |
| HY5V22EMP-H | 30,000 | 06+ | 索取報價 |
| HY5V22EMP-H | 2,356 | 2006+ | 索取報價 |
| HY5V22EMP-H | 30,000 | 07+ | 索取報價 |
| HY5V22EMP-H SDRAM 4MX32 | 32,000 | 03+ | 索取報價 |
| HY5V22EMP-H | 3,500 | 0611 | 索取報價 |
| HY5V22EMP-H | 1,000 | 200611 | 索取報價 |
| HY5V22EMP-H | 30,000 | 索取報價 |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| W9812G2DB-75 | BGA | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
| W9812G2DB-75 PB FREE | BGA | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |