脚位/封装 | BGA |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 含鉛 |
電壓(伏) | 3.3 V |
溫度規格 | 0 C~+70 C |
速度 | 133 MHZ |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 4M |
Bit Organization | x32 |
Density | 128M |
Package Material | Lead free |
Hynix Memory | HY |
Die Generation | 6th Gen. |
Power Consumption | normal |
Shipping Method | tray |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
HY5V22EMP-H | 2,251 | 2006+ | 索取報價 |
HY5V22EMP-H | 30,000 | 2006+ | 索取報價 |
HY5V22EMP-H | 29,990 | 06+ | 索取報價 |
HY5V22EMP-H | 30,000 | 06+ | 索取報價 |
HY5V22EMP-H | 2,356 | 2006+ | 索取報價 |
HY5V22EMP-H | 30,000 | 07+ | 索取報價 |
HY5V22EMP-H SDRAM 4MX32 | 32,000 | 03+ | 索取報價 |
HY5V22EMP-H | 3,500 | 0611 | 索取報價 |
HY5V22EMP-H | 1,000 | 200611 | 索取報價 |
HY5V22EMP-H | 30,000 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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W9812G2DB-75 | BGA | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |
W9812G2DB-75 PB FREE | BGA | 3.3 V | 133 MHZ | 0 C~+70 C |