K4A4G085WE-BCTD

产品概述

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制造商IC编号 K4A4G085WE-BCTD
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR4 SDRAM
IC代码 512MX8 DDR4
共通IC编号 K4A4G085WE-BCTD00
K4A4G085WE-BCTD000
K4A4G085WE-BCTDTCV

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.2V
温度规格 0 C~+85 C
速度 2666 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4A4G085WE-BCTD 51,200 22+ 索取报价
K4A4G085WE-BCTD 51,200 DC22+ 索取报价
K4A4G085WE-BCTD 10,240 索取报价
K4A4G085WE-BCTD 50,000 索取报价
K4A4G085WE-BCTDTCV 80,000 2143+ 索取报价
K4A4G085WE-BCTD 30,720 索取报价
K4A4G085WE-BCTD 30,000 索取报价
K4A4G085WE-BCTD 51,200 索取报价
K4A4G085WE-BCTD 20,160 索取报价
K4A4G085WE-BCTD 45,363 索取报价

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT40A512M8SA-062E:F FBGA-78 1.2V 3200 MBPS 0 C~+85 C

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5AN4G8NBJR-VKC FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NBJR-VKIR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR85120B-075UBL FBGA-78 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G085WC-BCTD FBGA-78 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G085WE-BCTD00P FBGA-78 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G085WF-BCTD FBGA-78 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G085WF-BCTD 000 FBGA-78 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G085WF-BCTD 0MM FBGA-78 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G085WF-BCTD00P FBGA-78 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G085WF-BCTD0CV FBGA-78 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C