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制造商IC编号 | K4A4G085WE-BCTD |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR4 SDRAM |
IC代码 | 512MX8 DDR4 |
共通IC编号 | K4A4G085WE-BCTD00 |
K4A4G085WE-BCTD000 | |
K4A4G085WE-BCTDTCV |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.2 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 2666 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4A4G085WE-BCTD | 100,000+ | 2021+ | 索取报价 |
K4A4G085WE-BCTD | 51,200 | 22+ | 索取报价 |
K4A4G085WE-BCTD | 51,200 | DC22+ | 索取报价 |
K4A4G085WE-BCTD | 10,240 | 索取报价 | |
K4A4G085WE-BCTD | 50,000 | 索取报价 | |
K4A4G085WE-BCTDTCV | 80,000 | 2143+ | 索取报价 |
K4A4G085WE-BCTD | 30,720 | 索取报价 | |
K4A4G085WE-BCTD | 30,000 | 索取报价 | |
K4A4G085WE-BCTD | 51,200 | 索取报价 | |
K4A4G085WE-BCTD | 20,160 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
MT40A512M8SA-062E:F | FBGA-78 | 1.2 V | 3200 MBPS | 0 C~+85 C |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
H5AN4G8NBJR-VKC | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN4G8NBJR-VKIR | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43QR85120B-075UBL | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
K4A4G085WC-BCTD | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
K4A4G085WE-BCTD00P | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
K4A4G085WF-BCTD | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
K4A4G085WF-BCTD 000 | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
K4A4G085WF-BCTD 0MM | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
K4A4G085WF-BCTD00P | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
K4A4G085WF-BCTD0CV | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |