K4A8G165WB-BCTD

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4A8G165WB-BCTD
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR4 SDRAM
IC代码 512MX16 DDR4
共通IC编号 K4A8G165WB-BCTD000
K4A8G165WB-BCTDT

产品详情

脚位/封装 FBGA-96
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.2 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 2666 MBPS
标准包装数量 1120
标准外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x16
Density 8Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4A8G165WB-BCTD 20,160 22+ 索取报价
K4A8G165WB-BCTD 20,160 索取报价
K4A8G165WB-BCTD 20,000 索取报价
K4A8G165WB-BCTD 0 索取报价
K4A8G165WB-BCTD 22,400 2021+ 索取报价
K4A8G165WB-BCTD 50,000 2021+ 索取报价
K4A8G165WB-BCTD 500 1943+ 索取报价
K4A8G165WB-BCTD 2,358 索取报价
K4A8G165WB-BCTD 10,080 索取报价
K4A8G165WB-BCTD000 500 2019/43 索取报价

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT40A512M16LY-075:E FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5AN8G6NAFR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKCTR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKIR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NDJR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NJJR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSAN8G6NCJR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSAN8GENCJR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSANAGBNCMR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C