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制造商IC编号 | K4A8G165WB-BCTD |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR4 SDRAM |
IC代码 | 512MX16 DDR4 |
共通IC编号 | K4A8G165WB-BCTD000 |
K4A8G165WB-BCTDT |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.2 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 2666 MBPS |
标准包装数量 | 1120 |
标准外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x16 |
Density | 8Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 3rd Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
MT40A512M16LY-075:E | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
H5AN8G6NAFR-VKC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN8G6NCJR-VKC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN8G6NCJR-VKCR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN8G6NCJR-VKCTR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN8G6NCJR-VKIR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN8G6NDJR-VKC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN8G6NJJR-VKC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
HSAN8G6NCJR-VKCR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
HSAN8GENCJR-VKCR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
HSANAGBNCMR-VKCR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |