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| 制造商IC编号 | K4B2G084Q-BCMAT00 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR3 SDRAM |
| IC代码 | 256MX8 DDR3 |
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包装 | TAPE ON REEL |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | 1.8 V |
| 温度规格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 1866 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Low VDD(1.35V) |
| Generation | 3rd Generation |
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B2G084Q-BCMAT00 | 0 | 索取报价 |